SiCショットキーバリアダイオードの非導通時ESR特性がDC-DCコンバータの伝導性EMIノイズに与える影響評価

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タイトル別名
  • Influence Evaluation of ESR Characteristics for Off-state SiC Schottky Barrier Diode on Conducted EMI Noise in a DC-DC Converter

抄録

電源回路の更なる高効率化や高電力密度化に向け，SiC等のワイドバンドギャップパワー半導体デバイスの高速・高周波数スイッチング動作の適用が検討されている．EMC（電磁環境両立性）を考慮した回路設計に求められるEMI（電磁妨害）ノイズ発生メカニズムの解明に向け，本論文では，SiCショットキーバリアダイオード(SBD)の非導通時ESR（等価直列抵抗）特性がDC-DCコンバータの伝導性EMIノイズに与える影響について考察した．結果から，発生ノイズの小さいSiC-SBDを実現するには，端子間容量の低減及び非導通時のESRが大きくなる素子構造が必要であることが示唆された．また高温動作時ほどSiC-SBDの非導通時のESRは大きく，SiC-SBD特有のノイズスペクトルピークが抑制されることを確認した．

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390002212173994624
  • DOI
    10.14923/transcomj.2016pep0006
  • ISSN
    18810209
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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