書誌事項
- タイトル別名
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- High quality amorphous silicon surface passivation layer for silicon solar cells deposited by facing target sputtering
- タイコウ ターゲットスパッタホウ ニ ヨル コウヒンシツ ナ タイヨウ デンチヨウ アモルファスシリコン ヒョウメン パッシベーションマク ノ カイハツ
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説明
<p>高効率な結晶シリコン太陽電池の一種であるシリコンヘテロ接合(SHJ)太陽電池においては,シリコン基板の表面でのキャリヤ再結合を抑制するための表面パッシベーション膜が極めて重要である.この表面パッシベーション膜には,毒性・爆発性ガスを用いる化学気相堆積法(CVD)により形成される水素化アモルファスシリコン(a-Si:H)が用いられるが,より一層の低コスト化に向けてはより安全なプロセスの検討が必要と考えられる.本稿では,低ダメージスパッタの一種である対向ターゲットスパッタ法(FTS)1)を用いたa-Si:Hパッシベーション膜の現状について紹介する.</p>
収録刊行物
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- 応用物理
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応用物理 89 (12), 707-710, 2020-12-10
公益社団法人 応用物理学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390005506381548416
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- NII論文ID
- 130007952791
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- NII書誌ID
- AN00026679
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- ISSN
- 21882290
- 03698009
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- NDL書誌ID
- 030809705
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- NDL
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可