Real-Time Observation of In Segregation During InGaAs Growth on GaAs(001) by X-ray Diffraction

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  • その場Ｘ線回折測定を用いた GaAs(001) 基板上 InGaAs 成長における In 偏析の解析

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分子線エピタキシー法を用いた GaAs(001) 基板上への InGaAs 薄膜成長中のIn偏析過程の解明を目指し、放射光を用いたX線回折法を用いてリアルタイム測定を行った。回折強度計算と実験結果との比較から、成長中の膜中の In 分布の変化を算出し、各時点での偏析係数を見積もった。成長速度が早い場合は (0.20, 0.27 ML/s)、一つの偏析係数で計算結果と実験結果が一致したが、成長速度が遅い場合 (0.10 ML/s) では一つの偏析係数で説明することが不可能であった。この結果は、特に成長速度が遅い場合において、これまでの偏析モデルを修正する必要を示唆している。

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  • CRID
    1390005506399297536
  • NII Article ID
    130007969696
  • DOI
    10.18957/rr.7.2.234
  • ISSN
    21876886
  • Text Lang
    ja
  • Data Source
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • Abstract License Flag
    Disallowed

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