高分子電解質を用いたワイドギャップ半導体の高能率電解複合研磨

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Abstract

<p>次世代の高周波半導体デバイス用材料としてワイドギャップ半導体の研究開発がすすめられている。ワイドギャップ半導体は機械的強度や化学的安定性の高い難加工材料であり、高品質な結晶表面を得るためには長時間の研磨が必要となる。そこで本研究では研磨パッドに固体高分子電解質を用いる電解複合研磨を提案する。高分子電解質が表面を酸化し、同時に砥粒が酸化膜を除去することによって、高能率な電解複合研磨法を開発した。</p>

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  • CRID
    1390007779708019968
  • NII Article ID
    130008083981
  • DOI
    10.11522/pscjspe.2021s.0_309
  • Text Lang
    ja
  • Data Source
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • Abstract License Flag
    Disallowed

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