Etching Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub> by PCVM with H<sub>2</sub>

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  • PCVMを用いた水素による酸化ガリウムの表面加工

Abstract

<p>大きなバンドキャップおよび絶縁破壊電界強度の値を有することから次世代パワーデバイス半導体として注目される酸化ガリウムであるが、欠点としてへき開性が高いことが挙げられる。そのため表面加工においてダメージレスな加工法が必要となる。そこで本研究では水素を用いたPCVMによる酸化ガリウムの加工を提案している。結果としてある一定温度を越えると水素ラジカルの脱離によって加工レートが落ちるという結果が得られた。</p>

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