高温アニールおよび熱酸化処理による高純度半絶縁性4H-SiC基板のフェルミ 準位の変化
書誌事項
- タイトル別名
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- Effects of High-Temperature Annealing and Thermal Oxidation on Fermi level of High-Purity Semi-Insulating 4H-SiC Substrates
収録刊行物
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- 応用物理学会学術講演会講演予稿集
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応用物理学会学術講演会講演予稿集 2020.2 (0), 2143-2143, 2020-08-26
公益社団法人 応用物理学会
