低濃度p型GaN縦型ショットキーバリアダイオード構造の作製と評価

DOI

上野耕平

東大生研
柴原啓太

東大生研
小林篤

東大生研
藤岡洋

東大生研

書誌事項

タイトル別名

Growth and characterization of vertical p-type GaN Schottky barrier diodes

収録刊行物

応用物理学会学術講演会講演予稿集

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2020.2 (0), 2055-2055, 2020-08-26

公益社団法人応用物理学会

キーワード

詳細情報詳細情報について

CRID

1390010457664461056
DOI

10.11470/jsapmeeting.2020.2.0_2055
ISSN

24367613
本文言語コード

ja
データソース種別
- JaLC

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