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スパッタ法を用いて作製したHfO<sub>2</sub>/Ge構造に対するPDAの効果
DOI
山本 裕介
公立諏訪東京理科大
山田 大地
公立諏訪東京理科大
王谷 洋平
公立諏訪東京理科大
岡本 浩
弘前大
書誌事項
タイトル別名
Effects of PDA on sputter-derived HfO<sub>2</sub>/Ge structures
収録刊行物
応用物理学会学術講演会講演予稿集
応用物理学会学術講演会講演予稿集 2021.1 (0), 2286-2286, 2021-02-26
公益社団法人 応用物理学会
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キーワード
16p-P12-3
半導体
絶縁膜技術
high-k膜
高誘電率材料
ゲルマニウム
詳細情報
詳細情報について
CRID
1390010997580801280
DOI
10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2286
ISSN
24367613
本文言語コード
ja
データソース種別
JaLC
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