不均一な界面欠陥分布がSiC MOSFETのチャネル移動度に及ぼす影響 ― 局所DLTS測定とデバイスシミュレーションに基づく検討 ―
書誌事項
- タイトル別名
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- Influence of non-uniform interface defect distribution on channel mobility in SiC MOSFET — Study based on local DLTS measurement and device simulation —
収録刊行物
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- 応用物理学会学術講演会講演予稿集
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応用物理学会学術講演会講演予稿集 2019.2 (0), 3636-3636, 2019-09-04
公益社団法人 応用物理学会