不均一な界面欠陥分布がSiC MOSFETのチャネル移動度に及ぼす影響 ― 局所DLTS測定とデバイスシミュレーションに基づく検討 ―

DOI

書誌事項

タイトル別名
  • Influence of non-uniform interface defect distribution on channel mobility in SiC MOSFET — Study based on local DLTS measurement and device simulation —

収録刊行物

詳細情報 詳細情報について

問題の指摘

ページトップへ