酸素空孔分布制御型4端子メモリスタ素子における抵抗変化機構の有限要素法シミュレーション
書誌事項
- タイトル別名
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- Finite Element Analysis of Resistive Switching Characteristics in four-terminal memristive devices
収録刊行物
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- 応用物理学会学術講演会講演予稿集
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応用物理学会学術講演会講演予稿集 2018.1 (0), 1522-1522, 2018-03-05
公益社団法人 応用物理学会
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キーワード
詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390012180531183488
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- ISSN
- 24367613
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC