ビス(2,4-ペンタンジオナト)-銅(II)を用いた常圧MOCVD法によるCu2O薄膜の作製
書誌事項
- タイトル別名
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- AP-MOCVD deposition of Cu2O films using bis(2,4-pentanedionato)copper(II) as precursor
収録刊行物
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- 応用物理学会学術講演会講演予稿集
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応用物理学会学術講演会講演予稿集 2014.2 (0), 4043-4043, 2014-09-01
公益社団法人 応用物理学会