Improvement of surface flatness in a double-sided polishing process of silicon wafers

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  • シリコンウェーハの両面研磨加工におけるウェーハフラットネスの向上

Abstract

<p>半導体デバイスの基板材料であるシリコンウェーハには高いフラットネスが求められるが，その両面研磨加工工程では，ウェーハ面内で均一な加工量分布を得ることが難しい．そのためフラットネスが悪化しやすく，特に，ウェーハ半径方向に厚さむらが生じて加工後のウェーハが凸形状となることが問題となっている．本研究では，両面研磨加工におけるウェーハのフラットネス向上を目的に，加工量分布に対する加工条件の影響を検討した．</p>

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