電気化学機械研磨におけるSiCの高能率スラリーレス加工法の開発（第11報）
書誌事項
- タイトル別名
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- KOH電解液の濃度変化による4H-SiC(0001)の酸化特性の解明
抄録
<p>単結晶SiCは高出力・高周波デバイス用次世代半導体材料として有望視されており、SiCの高能率研磨技術として陽極酸化による表面改質と固定砥粒研磨を組み合わせたスラリーレス電気化学機械研磨（ECMP）が提案されている。本報では、4H-SiC（0001）基板に対して、陽極酸化で用いたKOH電解液の濃度と基板表面酸化特性の相関を調査した。 </p>
収録刊行物
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- 精密工学会学術講演会講演論文集
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精密工学会学術講演会講演論文集 2023A (0), 684-684, 2023-08-31
公益社団法人 精密工学会