Distribution Measurements of Dislocations in Compound Semiconductors by Synchrotron Microbeam X-ray Diffraction
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- Sasaki Takuo
- National Institutes for Quantum Science and Technology
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- Takahasi Masamitu
- National Institutes for Quantum Science and Technology
Bibliographic Information
- Other Title
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- 放射光マイクロビームX線回折による化合物半導体の転位分布測定
Description
化合物半導体における単一転位のその場観察技術の確立に向けて、放射光マイクロビームによるX線回折の面内マッピングを実施した。その結果、GaN 基板においては貫通転位、InGaAs/GaAs ヘテロエピタキシャル薄膜においてはミスフィット転位と思われるX線回折強度の面内分布が得られた。今後は同測定技術をその場観察に応用するため、集光光学系および結晶成長装置の温度安定性の確保等のさらなる検討が必要である。
Journal
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- SPring-8/SACLA Research Report
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SPring-8/SACLA Research Report 12 (1), 4-7, 2024-02-29
Japan Synchrotron Radiation Research Institute
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Details 詳細情報について
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- CRID
- 1390017843875567872
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- ISSN
- 21876886
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- Text Lang
- ja
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- Data Source
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- JaLC
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- Abstract License Flag
- Disallowed