マルチエピ法及びトレンチ埋め戻しエピ法で作製した1.2 kV耐圧SiC SJ-MOSFETの性能比較

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  • 染谷 満
    国立研究開発法人産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センター
  • 大薗 国栄
    国立研究開発法人産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センター
  • 紀 世陽
    国立研究開発法人産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センター
  • 俵 武志
    国立研究開発法人産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センター
  • 森本 忠雄
    国立研究開発法人産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センター
  • 加藤 智久
    国立研究開発法人産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センター
  • 児島 一聡
    国立研究開発法人産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センター
  • 原田 信介
    国立研究開発法人産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センター

書誌事項

タイトル別名
  • Comparison of 1.2 kV SiC Superjunction MOSFETs Formed by Multi-epitaxial Growth and Trench-filling Epitaxial Growth

抄録

<p>We compared static and dynamic characteristics of a 1.2 kV-Class SJ-MOSFET fabricated by the multi-epitaxial growth (ME) method and the trench-filling epitaxial growth (TFE) method, which is expected to have a lower process cost. Comparably low specific on-resistance and switching losses were observed for the SJ-MOSFETs fabricated by both methods.</p>

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