デバイス試作によるワイドギャップ半導体評価

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Abstract

・低転位密度GaN基板を用いることによるPNダイオードの特性改善効果 ・GaNのウエットエッチング技術の開発とデバイス製造プロセスへの応用 ・フォトンリサイクリング効果～低転位化によってもたらされるオン抵抗の低減理由

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