書誌事項
- タイトル別名
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- Direct Growth of GaN on Al2O3(0001) by Two-Flow Metalorganic Vapor Phase Epitaxy.
- ツーフローガタ ユウキ キンゾク キソウ セイチョウホウ ニ ヨル Al2O3 0001 キバン ジョウ エ ノ GaN チョクセツ セイチョウ
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抄録
We have investigated a method for obtaining GaN films with smooth surface using two-flow metalorganic vapor phase epitaxy, in which one main flow carries a reactant gas parallel to the substrate, and the other subflow carries an in active gas perpendicular to the substrate for the purpose of changing the direction of the reactant gas flow. It is most important to place the substrate toward the subflow gas within the accuracy of 0.05°. This arrangement contributes to the long stay of NH3 on the substrate, which means higher NH3 decomposition rate and leads to good surface morphology
収録刊行物
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- 真空
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真空 43 (9), 897-899, 2000
一般社団法人 日本真空学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390282679042518016
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- NII論文ID
- 10007387696
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- NII書誌ID
- AN00119871
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- ISSN
- 18809413
- 05598516
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- NDL書誌ID
- 5512194
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- NDL
- Crossref
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可