サファイアCMPにおける研磨パッド表面温度と研磨レートの関係

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  • Relationship between polishing pad surface temperature and removal rate in sapphire-chemical mechanical polishing
  • サファイア CMP ニ オケル ケンマ パッド ヒョウメン オンド ト ケンマ レート ノ カンケイ

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抄録

本研究では，サファイア基板（ウェーハ）のCMPを対象とし，接触画像解析法に基づく研磨パッド表面の定量評価の観点から，研磨パッド表面温度と研磨レートの関係解明を目的とする．その手法として，研磨ヘッドと定盤（研磨パッド）の回転数が研磨レートに及ぼす影響，ならびにチラーによって設定される研磨定盤の温度が各評価パラメータ（研磨パッド表面温度，研磨レート，研磨パッド表面性状，研磨パッド硬度）に及ぼす影響を実験的に検討し，相関関係からの影響解明を試みた．その結果，研磨パッド表面温度の増加に伴って研磨パッドは幾分軟化し，接触点数が増加することで研磨レートは増加すること，ならびに不織布パッドは研磨パッド表面温度の影響によって研磨パッド表面性状および研磨パッド硬度が変化することを明らかとした．

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