Ga`+´一次イオン飛行時間型質量分析法における出現フラグメントパターンの規則性
書誌事項
- タイトル別名
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- Regularity of fragment pattern appearance in the Ga+ primary ion ToF-SIMS
- Ga〔+〕一次イオン飛行時間型質量分析法における出現フラグメントパターンの規則性
- Ga 1ジ イオン ヒコウ ジカンガタ シツリョウ ブンセキホウ ニ オケル シュツゲン フラグメントパターン ノ キソクセイ
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説明
Ga+一次イオン飛行時間型質量分析法における金属,無機化合物そして有機化合物表面からのフラグメントパターン出現の規則性を検討している.金属表面からのフラグメントパターンはGa+一次イオン照射,粒子放出の間に金属がGaと合金生成を行っている可能性があることを示している.無機化合物の場合,表面原子の化学結合に関する下記のフラグメントパターン出現規則性が提案できる.無機化合物M-Aに対し,電気陰性度の値が小さい正イオンMの酸化数を+n,電気陰性度の値が大きい負イオンのそれを-p,そして出現フラグメントの化学式をMxAyとすると,正イオンフラグメント群はnx ≥ (py+1),負イオンフラグメント群はnx ≤ (py+1) の規則性を満足している.かなりの数の有機化合物においては,化合物を構成する官能基中,原子間の解離・結合エネルギーに注目することにより,出現フラグメント群の構造予測が可能である.<br>
収録刊行物
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- 分析化学
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分析化学 53 (6), 503-518, 2004
公益社団法人 日本分析化学会
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キーワード
詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390282679330851200
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- NII論文ID
- 110002905392
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- NII書誌ID
- AN00222633
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- NDL書誌ID
- 6992242
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- ISSN
- 05251931
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- NDL
- Crossref
- NDL-Digital
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可