Ｇａ｀＋´一次イオン飛行時間型質量分析法における出現フラグメントパターンの規則性

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タイトル別名
  • Regularity of fragment pattern appearance in the Ga+ primary ion ToF-SIMS
  • Ga〔+〕一次イオン飛行時間型質量分析法における出現フラグメントパターンの規則性
  • Ga 1ジ イオン ヒコウ ジカンガタ シツリョウ ブンセキホウ ニ オケル シュツゲン フラグメントパターン ノ キソクセイ

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抄録

Ga＋一次イオン飛行時間型質量分析法における金属，無機化合物そして有機化合物表面からのフラグメントパターン出現の規則性を検討している．金属表面からのフラグメントパターンはGa＋一次イオン照射，粒子放出の間に金属がGaと合金生成を行っている可能性があることを示している．無機化合物の場合，表面原子の化学結合に関する下記のフラグメントパターン出現規則性が提案できる．無機化合物M-Aに対し，電気陰性度の値が小さい正イオンMの酸化数を＋n，電気陰性度の値が大きい負イオンのそれを－p，そして出現フラグメントの化学式をMxAyとすると，正イオンフラグメント群はnx ≥ (py＋1)，負イオンフラグメント群はnx ≤ (py＋1) の規則性を満足している．かなりの数の有機化合物においては，化合物を構成する官能基中，原子間の解離・結合エネルギーに注目することにより，出現フラグメント群の構造予測が可能である．<br>

収録刊行物

  • 分析化学

    分析化学 53 (6), 503-518, 2004

    公益社団法人 日本分析化学会

参考文献 (65)*注記

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