書誌事項
- タイトル別名
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- Characterization of LaNi<SUB>5</SUB>, Thin Films Prepared by Sputtering and Evaporating Methods
- スパッター法および蒸着法により作製されたLaNi5薄膜の性質
- スパッタ -ホウ オヨビ ジョウチャクホウ ニ ヨリ サクセイサレタ LaNi
- Thin films-preparation, structure and properties. Characterization of LaNi5 thin films prepared by sputtering and evaporating methods.
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抄録
スパッター法により作製されたアモルファスLaNi5薄膜のキャラクタリゼーションを行なった。また,水素吸蔵特性についても調べ,その結果を蒸着膜の場合と比較した。<BR>スパッター膜の密度は約69・cm-3であり蒸着膜より大きく,パルクより小さいことがわかった。熱伝導率は,膜試料においては約2W・m-1・K-1であり。塊状試料より大きいことが示された。<BR>種々の基板上に形成されたLaNi5スパッター膜について,水素吸収一放出サイクルに対する耐久性,ならびに基板との密着性を調べた。その結果Ni基板上のLaNi5膜は耐久性が大きく,かつ基板との密着性に優れていることがわかった。これは基板と膜の熱膨張率の差が小さいためと考えられる。<BR>スパッター膜に吸収される水素量は,膜厚1.3μmのものでLaNi51式量あたり約2.4個でありバルク試料の半分以下であった。また,蒸着膜より吸収水素量が大きかったのは,スパッター膜がやや結晶性を帯びているためと思われる。膜中の水素濃度の水素圧力依存性を調べたところ,水素濃度は圧力の増加とともに単調に増大し,バルク試料において見られるような圧力プラトーが現われないことがわかった。
収録刊行物
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- 日本化学会誌(化学と工業化学)
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日本化学会誌(化学と工業化学) 1987 (11), 1875-1879, 1987-11-10
公益社団法人 日本化学会
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キーワード
詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390282679365371776
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- NII論文ID
- 130004158569
- 40002844919
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- NII書誌ID
- AN00186595
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- COI
- 1:CAS:528:DyaL1cXpvVGn
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- ISSN
- 21850925
- 03694577
- http://id.crossref.org/issn/03694577
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- NDL書誌ID
- 3155886
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- データソース種別
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- JaLC
- NDL
- Crossref
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可