希土類硫化物薄膜の作製とその電気的性質

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  • Preparation and Electrical Properties of Rare Earth Sulfide Thin Films
  • キドルイ リュウカブツ ハクマク ノ サクセイ ト ソノ デンキテキ セイシツ

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抄録

希土類硫化物薄膜は, 希土類金属(Ln:CeおよびEr)を真空蒸着した薄膜を硫化水素中で硫化することにより作製した。焼結試料と比較して, 硫化水素, 水素各流通下での硫化セリウム薄膜の導電率変化が増大し, 硫黄分圧変化に対して敏感に応答した。さらに, 導電率はH2S-H2混合ガス中の水泰の量を増加させるとともに単調に減少した。また, 硫化セリウム薄膜では, 923から1023Kにおいて導電率が硫黄分圧の1/6乗に比例し, 試料と硫黄分子との間に以下のような平衡関係が導かれ, 正孔による伝導を示した。<BR>1/2 S2⇔Ss + VCo'' + 2h・<BR>一方, 硫化エルビウム薄膜では, 873から1173Kにおいて導電率の硫黄分圧に対する依存性は一義的に定まり, 各温度間の差異は見られなかった。また, 導電率が硫黄分圧の1/4乗に比例し, つぎの平衡関係に基づく正孔伝導を示した。<BR>1/2 S2⇔Ss + VEr' + h・

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