書誌事項
- タイトル別名
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- Preparation and Electrical Properties of Rare Earth Sulfide Thin Films
- キドルイ リュウカブツ ハクマク ノ サクセイ ト ソノ デンキテキ セイシツ
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説明
希土類硫化物薄膜は, 希土類金属(Ln:CeおよびEr)を真空蒸着した薄膜を硫化水素中で硫化することにより作製した。焼結試料と比較して, 硫化水素, 水素各流通下での硫化セリウム薄膜の導電率変化が増大し, 硫黄分圧変化に対して敏感に応答した。さらに, 導電率はH2S-H2混合ガス中の水泰の量を増加させるとともに単調に減少した。また, 硫化セリウム薄膜では, 923から1023Kにおいて導電率が硫黄分圧の1/6乗に比例し, 試料と硫黄分子との間に以下のような平衡関係が導かれ, 正孔による伝導を示した。<BR>1/2 S2⇔Ss + VCo'' + 2h・<BR>一方, 硫化エルビウム薄膜では, 873から1173Kにおいて導電率の硫黄分圧に対する依存性は一義的に定まり, 各温度間の差異は見られなかった。また, 導電率が硫黄分圧の1/4乗に比例し, つぎの平衡関係に基づく正孔伝導を示した。<BR>1/2 S2⇔Ss + VEr' + h・
収録刊行物
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- 日本化学会誌(化学と工業化学)
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日本化学会誌(化学と工業化学) 1986 (3), 233-237, 1986-03-10
公益社団法人 日本化学会
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キーワード
詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390282679365394048
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- NII論文ID
- 130004158411
- 40002844286
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- NII書誌ID
- AN00186595
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- ISSN
- 21850925
- 03694577
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- NDL書誌ID
- 3068567
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- データソース種別
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- JaLC
- NDL
- Crossref
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可