高周波スパッター法によるZrO<SUB>2</SUB>-Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>系非晶質膜の形成と構造

DOI Web Site Web Site

書誌事項

タイトル別名
  • Preparation and Structure of Rf-Sputtered Amorphous Films in the System ZrO<SUB>2</SUB>-Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>
  • 高周波スパッター法によるZrO2-Al2O3系非晶質膜の形成と構造
  • コウシュウハ スパッタ -ホウ ニ ヨル ZrO2 Al2O3ケイ ヒショウシ
  • Thin films-preparation, structure and properties. Preparation and structure of RF-sputtered amorphous films in the system ZrO2-Al2O3.

この論文をさがす

抄録

高周波スパッター法により,ZrO2-Al2032成分系非晶質膜を作成し,それらの非晶質膜の密度,屈折率,熱膨張およびAIKaX線発光スペクトルの測定を行なった。本2成分系において,ZrO2濃度が0～67mol%の組成域で非晶質の膜を作成できた。密度や屈折率は,ZrO2濃度が15と50mo垂%付近にそれぞれ極大および極小を示した。熱膨張係数は,ZrO2濃度が15mol%付近で極小を示した。AIKaX線発光スペクトルの化学シフトから求めた膜中のAl3+イオンの平均酸素配位数は,ZrO2濃度とともに5から,5より小さい値へと変化した,一方,密度と屈折率のデータから算出したZrO2の分子屈折の値の変化から求や撫Zri4+イオンの酸素配位数は,ZrO2が15mol%以下の非晶質膜中では6より小さい値であったが,ZrO2が20mol%以上の非晶質膜中では,ZrO2濃度によらず6で一定であった。これら非晶質膜中の陽イオンについての平均酸素配位数のZrO2濃度依存性は,物性の組成依存性とよい対応を示した。

収録刊行物

キーワード

詳細情報 詳細情報について

問題の指摘

ページトップへ