次世代パワー半導体SiCの現状と信頼性(パワー半導体の現状と信頼性)

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  • 奥西 拓馬
    ルネサスエレクトロニクス株式会社
  • 久田 賢一
    ルネサスセミコンダクタマニュファクチュアリング株式会社

書誌事項

タイトル別名
  • The Reliability Topics of wide-gap Semiconductor SiC Power Devices(Power Semiconductor Devices: Present Status and Reliability Issues)
  • 次世代パワー半導体SiCの現状と信頼性
  • ジセダイ パワー ハンドウタイ SiC ノ ゲンジョウ ト シンライセイ

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抄録

省エネルギー社会への期待を背景に,パワーエレクトロニクス分野が発展する中,次世代パワー半導体材料と呼ばれるSiC(Silicon Carbide)の研究開発が急速に進んでいる.既に複数メーカーからデバイスの量産化が行われ,市場で活用される製品も存在する.パワー半導体として,現在最も普及している材料は,Siである.SiCは物性を引き出すことで,Siデバイスを大きく超える特性を示すと期待される材料である.傍ら,材料が変わることで新しい信頼性課題も生ずる.本稿ではパワー半導体とSiC材料,信頼性の問題について,それぞれ概論的に紹介する.中でも信頼性に関しては,まさに材料に起因した動作中の結晶欠陥成長問題に焦点をあて,比較的先駆的かつ代表的な研究事例を交えつつ,解説する.

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