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- 横川 慎二
- 職業能力開発総合大学校
書誌事項
- タイトル別名
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- Reliability of Contacts : From Silicon Device to Advanced Power Device(Power Semiconductor Devices: Present Status and Reliability Issues)
- コンタクトの信頼性 : Siデバイスから先端パワーデバイスまで
- コンタクト ノ シンライセイ : Si デバイス カラ センタン パワーデバイス マデ
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説明
本稿では,Siデバイスで確立されてきたコンタクト技術の発展経緯と信頼性問題の概要,最先端デバイスプロセスにおける新たな信頼性課題,及び次世代デバイスにおけるコンタクトへの要求信頼性について述べる.アロイスパイク,Siノジュールなどの課題及びその解決方法と,先端Siデバイスで課題となってきているゲート-コンタクト間の経時絶縁破壊などの情報は,次世代デバイスにおいて起こりうる信頼性課題の未然防止に,重要な知見を与えるものである.
収録刊行物
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- 日本信頼性学会誌 信頼性
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日本信頼性学会誌 信頼性 37 (1), 26-33, 2015
日本信頼性学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390282679429934336
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- NII論文ID
- 110009909695
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- NII書誌ID
- AN10540883
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- ISSN
- 24242543
- 09192697
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- NDL書誌ID
- 026052500
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- NDLサーチ
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可