バックゲート表面電位固定構造を用いた完全空乏化SOIピクセル検出器の性能評価(イメージセンサおよび一般,2015 IISWとVLSIシンポジウムからの発表報告)

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タイトル別名
  • The performance evaluation of fully depleted SOI pixel detector with backgate surface potential pinning
  • バックゲート表面電位固定構造を用いた完全空乏化SOIピクセル検出器の性能評価
  • バックゲート ヒョウメン デンイ コテイ コウゾウ オ モチイタ カンゼン クウボウカ SOI ピクセル ケンシュツキ ノ セイノウ ヒョウカ

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抄録

本稿では、バックゲート正面電位固構造を用いた新しい定完全空乏化SOIピクセル検出器を提案する。提案する検出器ではSOI層の回路動作を安定的に保ちながら、変換ゲインを高めることができる。また、2重ドーピング技術はバックゲート表面付近でのホールに対するポテンシャルバリアを形成し、裏面電圧の変動に対して安定性を高めることができる。提案するピクセル検出器の構造のポテンシャル分布のシミュレーション結果、測定結果を報告する。

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