選択成長法により形成した六角柱ファセットレーザー

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タイトル別名
  • Hexagonal facet laser grown by selective area epitaxy

説明

GaAs (111) B 基板上で,有機金属気相成長法による選択成長を用いると,側面が(110)面で構成されたGaAs/AlGaAsの六角柱構造を成長できる.この (110) 面は,基板に垂直で原子レベルの平坦性を持つため,これを光の反射器として利用した六角柱ファセットレーザーを製作した.この六角形のリング共振器型レーザーは,光の閉じ込めが強いという特徴を持ち,低しきい値でシングルモード発振する.さらにレーザー光を有効に取り出すため,六角柱の角に矩形の光導波路を結合した構造のレーザーを検討し,レーザー光を導波路先端から取り出すことに成功した.これらのレーザー構造を選択成長により作製する際には,成長用原料を交互に供給する成長法が有効である.

収録刊行物

  • 応用物理

    応用物理 65 (7), 728-731, 1996

    公益社団法人 応用物理学会

キーワード

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390282679572565760
  • NII論文ID
    130003593604
  • DOI
    10.11470/oubutsu1932.65.728
  • COI
    1:CAS:528:DyaK28Xks12itbk%3D
  • ISSN
    21882290
    03698009
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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