書誌事項
- タイトル別名
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- Development of High-Frequency SiC-MESFETs
- SiC コウシュウハ MESFET ノ カイハツ
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抄録
We have developed high power SiC-MESFETs for high-freqeuncy applications. We obtained a cut-off freqeuncy of 9.3 GHz and a maximum oscillation frequency of 34.2 GHz from a 0.5μm gate MESFET. We measured pulsed output power characteristics of 54.1 W at 1.0 GHz and 11.2 W at 9.4 GHz from a 39.2mm-gate-MESFET and a 9.6mm-gate-width MESFET, respectivly.
収録刊行物
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- 電気学会論文誌Ｃ（電子・情報・システム部門誌）
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電気学会論文誌Ｃ（電子・情報・システム部門誌） 124 (2), 369-374, 2004
一般社団法人 電気学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390282679582446336
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- NII論文ID
- 10011965633
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- NII書誌ID
- AN10065950
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- ISSN
- 13488155
- 03854221
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- NDL書誌ID
- 6841408
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- NDL
- Crossref
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可
