シリコンの表面マイグレーションを利用した新しい基板エンジニアリング～ESS (Empty Space in Silicon) による大面積SON (Silicon on Nothing) の形成～
書誌事項
- タイトル別名
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- A new substrate engineering for the formation of Empty Space in Silicon (ESS) induced by silicon surface migration
- シリコン ノ ヒョウメン マイグレーション オ リヨウ シタ アタラシイ キバン エンジニアリング ESS Empty Space in Silicon ニ ヨル ダイ メンセキ SON Silicon on Nothing ノ ケイセイ
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抄録
A new technique to form the silicon on nothing (SON) structure is presented as an alternative to the silicon on insulator (SOI) structure. A large plate-shaped empty space in silicon (ESS) below the surface of the silicon substrate can be fabricated by connecting the spherical empty spaces, which are formed by the surface migration of silicon on patterned silicon substrate. ESS technique has a potential to change the micro-process for the fabrication oflarge-scale integrated circuits (LSI) and it can be applied to various manufacturing technologies.
収録刊行物
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- 電気学会論文誌Ｃ（電子・情報・システム部門誌）
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電気学会論文誌Ｃ（電子・情報・システム部門誌） 121 (3), 524-529, 2001
一般社団法人 電気学会
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キーワード
詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390282679587709184
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- NII論文ID
- 130006845782
- 10006759621
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- NII書誌ID
- AN10065950
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- ISSN
- 13488155
- 03854221
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- NDL書誌ID
- 5689498
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- データソース種別
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- JaLC
- NDL
- Crossref
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可