パワーデバイス用GaN on Si結晶

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Impact of the AlN Nucleation Layer on GaN grown on Silicon Substrate by MOCVD for Power—devices
パワーデバイス用GaN on Si結晶 : AlN核形成層の重要性
パワーデバイスヨウ GaN on Si ケッショウ : AlNカクケイセイソウノジュウヨウセイ
—AlN核形成層の重要性—

1．はじめに近年，Siウェーハを用いたGaN on Siパワーデバイスの開発が活発である^（1）。図1にAl GaN/GaN HEMT on Siエピタキシャルウェーハ（以下，HEMT on Siエピウェーハ）の構造を示す^（2）。GaとSiのメルトバックエッチング^（3）を防止するため初期