ワイドギャップ半導体 <i>Ln</i>CuO<i>Ch</i> (<i>Ln</i>=ランタノイド，<i>Ch</i>=カルコゲン) の低次元構造とオプトエレクトロニクス機能 : 総説

DOI Web Site Web Site 被引用文献2件 参考文献74件
  • 平松 秀典
    科学技術振興機構 (JST)，戦略的創造研究推進事業継続研究 (ERATO-SORST)，東京工業大学フロンティア創造共同研究センター (FCRC) 内
  • 上岡 隼人
    科学技術振興機構 (JST)，戦略的創造研究推進事業継続研究 (ERATO-SORST)，東京工業大学フロンティア創造共同研究センター (FCRC) 内
  • 植田 和茂
    科学技術振興機構 (JST)，戦略的創造研究推進事業継続研究 (ERATO-SORST)，東京工業大学フロンティア創造共同研究センター (FCRC) 内 九州工業大学工学部物質工学科
  • 平野 正浩
    科学技術振興機構 (JST)，戦略的創造研究推進事業継続研究 (ERATO-SORST)，東京工業大学フロンティア創造共同研究センター (FCRC) 内
  • 細野 秀雄
    科学技術振興機構 (JST)，戦略的創造研究推進事業継続研究 (ERATO-SORST)，東京工業大学フロンティア創造共同研究センター (FCRC) 内 東京工業大学応用セラミックス研究所 東京工業大学フロンティア創造共同研究センター (FCRC),

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タイトル別名
  • Electrical and Photonic Functions Originating from Low-Dimensional Structures in Wide-Gap Semiconductors LnCuOCh (Ln=lanthanide, Ch=chalcogen): A Review

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抄録

This article reviews novel electrical and optical properties found for epitaxial thin films of wide-gap semiconductors, LnCuOCh (Ln=lanthanide, Ch=chalcogen). This material series has a two-dimensional crystal structure composed of alternately stacked (Ln2O2)2+ and (Cu2Ch2)2- layers. Distinctive properties such as high hole mobility, degenerate p-type conduction, room temperature exciton, and large optical nonlinearity were found and these are attributed to two-dimensional electronic structure arising from the layered structure, i.e., a narrow-gaped and hole-conductive (Cu2Ch2)2- layer is sandwiched by wide-gaped insulating (Ln2O2)2+ layers. In particular, the wide-gap p-type metallic conduction was the first demonstration among any class of wide-gap materials including GaN: Mg. Realization of epitaxial thin films for these materials by reactive solid-phase epitaxy led to these discoveries which make LnCuOCh promising materials for optoelectronic devices utilizing the high p-type conductivity and/or the room temperature exciton.<br>

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