書誌事項
- タイトル別名
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- Study on Laser Patterning on Single Crystalline Silicon
- タンケッショウ シリコン ヒョウメン ノ レーザパターニング
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説明
アルゴンイオンレーザ光をシリコンウェーハに照射した. レーザ出力3W以上では, 照射跡が隆起した. FT-IRにより隆起部分の表面は酸化していること, ラマン分光分析により内部に引張応力が残留していることが明らかになった. 出力3W以下では隆起は認められないが, 濡れ性や耐腐食性などが変化した. この性質変化部分をKOHエッチングにおけるマスクに応用し, エンコーダ用リニアスケールを試作した.
収録刊行物
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- 精密工学会誌論文集
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精密工学会誌論文集 71 (6), 729-733, 2005
公益社団法人 精密工学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390282680257123968
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- NII論文ID
- 10015673684
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- NII書誌ID
- AA11966630
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- ISSN
- 18818722
- 13488716
- 13488724
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- NDL書誌ID
- 7388099
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- NDL
- Crossref
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可