書誌事項
- タイトル別名
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- Analysis of Number of Layers in Epitaxial Few-Layer Graphene Grown on SiC towards Single-Crystal Graphene Substrate
- タンケッショウ グラフェン キバン ノ ソウセイ ニ ムケタ SiC ジョウ エピタキシャル ショウスウソウ グラフェン ノ ソウスウ カイセキ
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説明
We review our research toward single-crystal growth of epitaxial few-layer graphene (FLG) on SiC substrates, in which surface electron microscopy techniques have played essential roles. We have established a method for evaluating the number of graphene layers microscopically using low-energy electron microscopy. The number-of-layers dependence of the work function and C1s binding energy is determined using photoelectron emission microscopy. We use LEEM and thermionic electron emission microscopy to investigate the growth processes of epitaxial FLG. Uniform bilayer graphene a few micrometers in size is obtained by annealing in UHV.<br>
収録刊行物
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- Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ ｔｈｅ Ｖａｃｕｕｍ Ｓｏｃｉｅｔｙ ｏｆ Ｊａｐａｎ
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Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ ｔｈｅ Ｖａｃｕｕｍ Ｓｏｃｉｅｔｙ ｏｆ Ｊａｐａｎ 53 (2), 101-108, 2010
一般社団法人 日本真空学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390282680271675136
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- NII論文ID
- 10026292473
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- NII書誌ID
- AA12298652
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- ISSN
- 18824749
- 18822398
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- NDL書誌ID
- 10606205
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- NDLサーチ
- Crossref
- CiNii Articles
- KAKEN
- OpenAIRE
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可