光照射を重畳したＣＦ３イオンビームによるＳｉＯ２エッチング率の測定

DOI Web Site 被引用文献1件 参考文献11件
  • 幾世 和将
    大阪大学大学院工学研究科原子分子イオン制御理工学センター
  • 吉村 智
    大阪大学大学院工学研究科原子分子イオン制御理工学センター
  • 滝澤 敏史
    大阪大学大学院工学研究科原子分子イオン制御理工学センター
  • 唐橋 一浩
    大阪大学大学院工学研究科原子分子イオン制御理工学センター
  • 木内 正人
    大阪大学大学院工学研究科原子分子イオン制御理工学センター 独立行政法人産業技術総合研究所
  • 浜口 智志
    大阪大学大学院工学研究科原子分子イオン制御理工学センター

書誌事項

タイトル別名
  • SiO<sub>2</sub> Etching Yield Measurements by CF<sub>3</sub> Ion Beam Injections Superposed with Light Irradiation
  • ヒカリ ショウシャ オ チョウジョウシタ CF3 イオン ビーム ニ ヨル SiO2 エッチングリツ ノ ソクテイ

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抄録

  Etching yields of SiO2 by CF3 ion beam injections with or without simultaneous light irradiation have been measured by a low-energy mass-selected ion beam system. A Xe Lamp, an L2D2 lamp, an Ar ICP (inductively coupled plasma) or a VUV (Vacuum Ultraviolet) Lamp was used separately as the light source. The etching yield is the ratio of the number of incident ions to that of removed atoms. The obtained SiO2 etching yields by simultaneous irradiation of CF3 ions and photons from the light source were smaller than those by ion beam irradiation only. This difference in etching yields may be caused by modification of CFx polymer formation on the substrate surface during the beam etching process.<br>

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