Ａ面サファイア基板を用いた単結晶ＺｎＯ薄膜の分子線エピタキシャル成長

DOI Web Site 被引用文献3件 参考文献24件

書誌事項

タイトル別名
  • Molecular Beam Epitaxial Growth of Single-Crystalline ZnO Films on a-Plane Sapphire Substrates
  • Aメン サファイア キバン オ モチイタ タンケッショウ ZnO ハクマク ノ ブンシセン エピタキシャル セイチョウ

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説明

This paper describes radical-source molecular beam epitaxial growth of ZnO films on a-plane sapphire substrates. Reflection high-energy electron diffraction observation and x-ray diffraction measurement show that single-crystalline ZnO (0001) films without any rotational domains are obtained on the sapphire substrates. Photoluminescence spectra measured at 300K exhibit an intense emission peak from free excitons. Hall measurement shows that phonon scattering becomes dominant with increasing temperature and a relatively high electron mobility of -100cm2/Vs with a low residual electron density of -4×1017cm-3 at 300K is achieved.

収録刊行物

  • 材料

    材料 52 (12), 1414-1419, 2003

    公益社団法人 日本材料学会

被引用文献 (3)*注記

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参考文献 (24)*注記

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