4-トリフルオロメチルフェニル基を有するベンゾチアジアゾール及びその誘導体の合成と高いFET特性
書誌事項
- タイトル別名
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- Synthesis and High-Performance Field-Effect characteristics of Benzothiadiazole and Related Heterocycles Containing Trifluoromethylphenyl Groups
説明
本研究ではベンゾチアジアゾール及びその誘導体をπ電子系のコアとして有する化合物を合成し、基礎物性の測定と共にFET測定を行い、中心骨格を変化させることによってFET特性に及ぼす影響を考察した。ベンゾチアジアゾールを中心骨格に持つ化合物のトップコンタクトFETから、μe＝0.19cm2/Vs. Vth= 3Vという高いFET特性を得ることに成功している。n型FETの閾値(Vth)は一般的に50~80Vと高くなりがちであるが、我々は5V以下と非常に低電圧に抑えることができた。また、本研究では、ｎ型FETからの発光も観測することに成功している。
収録刊行物
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- 基礎有機化学討論会要旨集（基礎有機化学連合討論会予稿集）
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基礎有機化学討論会要旨集（基礎有機化学連合討論会予稿集） 18 (0), 76-76, 2006
基礎有機化学会（基礎有機化学連合討論会）
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キーワード
詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390282680532123392
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- NII論文ID
- 130004645176
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可
