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Fabrication of Fine High-Density Strip-Line Structure Using Photosensitive Polyimide Insulation layer for LSI packages
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- Kikuchi Katsuya
- National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST)
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- Segawa Shigemasa
- PI Research and Development Co., Ltd.
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- Jung Eun-Sil
- National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST)
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- Nakagawa Hiroshi
- National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST)
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- Tokoro Kazuhiko
- National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST)
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- Itatani Hiroshi
- PI Research and Development Co., Ltd.
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- Aoyagi Masahiro
- National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST)
Bibliographic Information
- Other Title
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- 感光性ポリイミドを用いた微細高密度ストリップライン構造の作製
Description
ポリイミドは400℃以上の分解温度を示す、最も安定な有機高分子材料のひとつである。絶縁耐圧が高く、誘電率が低いなどの優れた電気的特性をもつ。我々は、微細高密度配線構造をもつLSIパッケージの開発を目的に、ポリイミドを層間絶縁膜に用いたストリップライン構造の作製を行った。作製には溶媒可溶性のブロック共重合ポリイミドに感光特性をもたせた、感光性ポリイミドを用いた。このポリイミドを用いることで、作製プロセスを簡略化でき、微細高密度な配線構造をもつストリップライン構造の作製に成功した。
Journal
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- Proceedings of JIEP Annual Meeting
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Proceedings of JIEP Annual Meeting 2003 (0), 110-110, 2003
The Japan Institute of Electronics Packaging
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Details 詳細情報について
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- CRID
- 1390282680532688384
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- NII Article ID
- 130004589057
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- Data Source
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- JaLC
- CiNii Articles
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- Abstract License Flag
- Disallowed