誘電性薄膜の高品質化とウェハレベル成膜への応用

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タイトル別名
  • Improving the Quality of Dielectric Film and the Application to Wafer Level Film Preparation

説明

近年、量産の目的からウェハサイズの大口径化が進んでおり、ウェハ上に特性のよい均質な薄膜を形成するのが困難になりつつある。しかし、MEMSデバイスの作製においては、成膜技術の信頼性を向上させることが重要となる。一般的には、スパッタ等の物理的成膜法が信頼性が高いと言われているが、大口径のウェハにおいては均質性が損なわれてしまう。そこで、本研究では、代表的な圧電性薄膜であるPZTをMOD法を用いて成膜し、プロセスパラメータの最適化を行った。さらに、ウェハレベルの成膜へ応用した。

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390282680533191808
  • NII論文ID
    130005469924
  • DOI
    10.11486/ejisso.26.0_37
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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