3つのスルフィド部位を有する新規シリル配位子を用いた遷移金属錯体の合成とその構造

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タイトル別名
  • Synthesis and Structures of Transition Metal Complexes with New Silyl Ligands Bearing Three Sulfide Moieties

抄録

近年、多座配位子を用いることにより,小分子の活性化などの特異な反応性を持つ遷移金属錯体が合成され,その化学に興味が持たれている。そこで、本研究では一つのシリル部位と三つのスルフィド部位を有する新規四座配位子[(RSCH2)C6H4]3SiH (1)を合成し、Ir(_III_)、Pt(_II_)に関する錯体を合成した。現在、Pd、Rh錯体の合成を検討している。

収録刊行物

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390282680533555328
  • NII論文ID
    130004728716
  • DOI
    10.11494/kisoyuki.2009.0.111.0
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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