液晶欠陥対消滅が誘起する流れの数値シミュレーション

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タイトル別名
  • Numerical Simulation of Liquid Crystalline Flow Induced by Defect Annihilation

抄録

Marrucci-Grecoポテンシャルを適用した土井理論を用いて、液晶欠陥対消滅が誘起する流れの数値シミュレーションを行った．計算量を減らす目的で、配向確率密度関数を球面調和関数によって近似した．異なる分子配向状態を持つ欠陥は互いに引き付けあい，最終的に消滅することが知られている．この欠陥対消滅過程において，分子配向方向の回転のために液晶流動が生じる．数値計算の結果から，誘起された速度は2つの欠陥が近づくにつれ大きくなることを明らかにした．

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390282680570892928
  • NII論文ID
    130004603760
  • DOI
    10.11345/japannctam.56.0.255.0
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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