液晶欠陥対消滅が誘起する流れの数値シミュレーション
書誌事項
- タイトル別名
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- Numerical Simulation of Liquid Crystalline Flow Induced by Defect Annihilation
説明
Marrucci-Grecoポテンシャルを適用した土井理論を用いて、液晶欠陥対消滅が誘起する流れの数値シミュレーションを行った.計算量を減らす目的で、配向確率密度関数を球面調和関数によって近似した.異なる分子配向状態を持つ欠陥は互いに引き付けあい,最終的に消滅することが知られている.この欠陥対消滅過程において,分子配向方向の回転のために液晶流動が生じる.数値計算の結果から,誘起された速度は2つの欠陥が近づくにつれ大きくなることを明らかにした.
収録刊行物
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- 理論応用力学講演会 講演論文集
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理論応用力学講演会 講演論文集 56 (0), 255-255, 2007
日本学術会議 「機械工学委員会・土木工学・建築学委員会合同IUTAM分科会」
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キーワード
詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390282680570892928
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- NII論文ID
- 130004603760
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可