Preparation of porous SiC by spark plasma sintering

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Other Title
  • SPS法によるSiC多孔体の作製

Description

ナノサイズSiCを原料粉末としてSPS法によりSiC多孔体を作製した。焼結条件として圧力、昇温速度、焼結温度、助剤の種類の影響について調査し、XRD、SEM、3点曲げ強度試験の評価を行った。これらの調査により、粒成長を抑制したSiC多孔体を作製する条件は圧力15MPa、昇温速度100℃/min、焼結温度1950℃、助剤AlN-Y2O3であることが分かった。さらに気孔形成剤としてポリメタクリル酸メチル(PMMA)を添加することで細孔構造を制御した多孔体もSPS法により作製することが可能であることが確認できた。

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Details 詳細情報について

  • CRID
    1390282680594003584
  • NII Article ID
    130006975249
  • DOI
    10.14853/pcersj.2007f.0.384.0
  • Text Lang
    ja
  • Data Source
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • Abstract License Flag
    Disallowed

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