SPS法によるSiC多孔体の作製
書誌事項
- タイトル別名
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- Preparation of porous SiC by spark plasma sintering
説明
ナノサイズSiCを原料粉末としてSPS法によりSiC多孔体を作製した。焼結条件として圧力、昇温速度、焼結温度、助剤の種類の影響について調査し、XRD、SEM、3点曲げ強度試験の評価を行った。これらの調査により、粒成長を抑制したSiC多孔体を作製する条件は圧力15MPa、昇温速度100℃/min、焼結温度1950℃、助剤AlN-Y2O3であることが分かった。さらに気孔形成剤としてポリメタクリル酸メチル(PMMA)を添加することで細孔構造を制御した多孔体もSPS法により作製することが可能であることが確認できた。
収録刊行物
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- 日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集
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日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集 2007F (0), 384-384, 2007
公益社団法人 日本セラミックス協会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390282680594003584
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- NII論文ID
- 130006975249
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可