Mgnetic and electrical properties of undoped titanium oxide thin films

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  • 非ドープ酸化チタン薄膜の磁気的・電気的性質

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スピントロニクス材料作製のアプローチの一つとして、希薄磁性半導体の研究が盛んに行なわれている。これは半導体を3d金属イオンなどの磁性イオンでドーピングすることで達成されてきた。一方、磁性イオンを含まないHfO2薄膜が室温強磁性を示すことが報告された。このような強磁性体はd0強磁性体と呼ばれ、現在までにTiO2, ZnOなど様々な系で報告がされている。LAO単結晶基板上に作製したTiO2薄膜の磁化が成膜時の酸素分圧の減少とともに増加することや、アニール処理により磁化が消失するという結果から、磁化の起源が酸素欠損であるというモデルが提案されているが、強磁性が現れる機構は十分には解明されていない。そこで、本研究ではPLD法を用いて非晶質および結晶の酸化チタン薄膜を作製し、磁気的・電気的性質を調べ、作製条件と物性との関係を明らかにすることを試みた。

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  • CRID
    1390282680596918528
  • NII Article ID
    130006979753
  • DOI
    10.14853/pcersj.2009s.0.521.0
  • Text Lang
    ja
  • Data Source
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • Abstract License Flag
    Disallowed

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