赤外エバネッセント光によるSiウエハ加工表面層欠陥検出に関する研究（第6報）
書誌事項
- タイトル別名
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- Study on Detection of Silicon Wafer Surface Defects by Using Infrared Evanescent Light (6th Report) - Internal Defect Detection
- 内部欠陥検出
抄録
シリコンウエハ内部に数十nmの微小欠陥が存在する場合に，その周囲における電磁場の分布を3次元FDTD法によって解析した．その結果ウエハ表面のエバネッセント場をプローブで走査した場合に，得られる強度分布から，その検出が可能であることを示した．この結果に基づき，実際にウエハ内にFIBを用いて擬似内部欠陥を作成し，それの検出を試みた結果より，本提案手法の微小内部欠陥検出への適用の可能性が示された．
収録刊行物
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- 精密工学会学術講演会講演論文集
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精密工学会学術講演会講演論文集 2003S (0), 580-580, 2003
公益社団法人 精密工学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390282680627299840
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- NII論文ID
- 130004655175
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- データソース種別
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- JaLC
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可