Study on Detection of Silicon Wafer Surface Defects by Using Infrared Evanescent Light (6th Report) - Internal Defect Detection

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  • 赤外エバネッセント光によるSiウエハ加工表面層欠陥検出に関する研究（第6報）
  • 内部欠陥検出

Abstract

シリコンウエハ内部に数十nmの微小欠陥が存在する場合に，その周囲における電磁場の分布を3次元FDTD法によって解析した．その結果ウエハ表面のエバネッセント場をプローブで走査した場合に，得られる強度分布から，その検出が可能であることを示した．この結果に基づき，実際にウエハ内にFIBを用いて擬似内部欠陥を作成し，それの検出を試みた結果より，本提案手法の微小内部欠陥検出への適用の可能性が示された．

Journal

Keywords

Details 詳細情報について

  • CRID
    1390282680627299840
  • NII Article ID
    130004655175
  • DOI
    10.11522/pscjspe.2003s.0.580.0
  • Data Source
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • Abstract License Flag
    Disallowed

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