加工雰囲気を制御できる両面同時CMP装置の設計試作

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  • 様々な加工雰囲気下におけるSiおよびSiCウエハの加工特性

Abstract

従来のCMPには加工部周辺の雰囲気（気種，気圧など）はあまり考慮がなされなかったが，化学反応を利用するCMPは気温や気圧，大気の組成など加工部周辺の雰囲気に敏感であると考えられる．密閉チャンバー内に研磨機構を有し，加工部周囲の雰囲気を制御できる両面同時CMP装置を設計・試作し，チャンバー内を様々な雰囲気で満たしながらSi，SiCなどの両面CMPを行ったところ，酸素を含む高圧ガス中で加工レートに増加が見られた．

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Keywords

Details 詳細情報について

  • CRID
    1390282680629005952
  • NII Article ID
    130005030001
  • DOI
    10.11522/pscjspe.2010a.0.137.0
  • Text Lang
    ja
  • Data Source
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • Abstract License Flag
    Disallowed

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