加工雰囲気を制御できる両面同時CMP装置の設計試作
書誌事項
- タイトル別名
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- 様々な加工雰囲気下におけるSiおよびSiCウエハの加工特性
抄録
従来のCMPには加工部周辺の雰囲気(気種,気圧など)はあまり考慮がなされなかったが,化学反応を利用するCMPは気温や気圧,大気の組成など加工部周辺の雰囲気に敏感であると考えられる.密閉チャンバー内に研磨機構を有し,加工部周囲の雰囲気を制御できる両面同時CMP装置を設計・試作し,チャンバー内を様々な雰囲気で満たしながらSi,SiCなどの両面CMPを行ったところ,酸素を含む高圧ガス中で加工レートに増加が見られた.
収録刊行物
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- 精密工学会学術講演会講演論文集
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精密工学会学術講演会講演論文集 2010A (0), 137-138, 2010
公益社団法人 精密工学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390282680629005952
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- NII論文ID
- 130005030001
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可