Planarization of GaN Substrate by Polishing Technique using Fe Catalyst Particles

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  • 遷移金属微粒子を用いた研磨法によるGaN基板の平坦化
  • Fundamental Examination of the Removal Characteristic under various conditions
  • 基礎加工特性の検討

Abstract

窒化ガリウム（GaN）は直接遷移型のワイドギャップ半導体であり，その優れた物性値から発光デバイスだけではなく，高周波・高出力電子デバイスヘの応用が期待されている．しかし，GaNは高硬度かつ熱的・化学的にも安定なため加工が困難である．本研究では鉄などの遷移金属と過酸化水素の反応により生成されるOHラジカルを用いた加工法を提案し，GaNの加工における基礎的な加工特性を明らかにした．

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  • CRID
    1390282680629139200
  • NII Article ID
    130004658644
  • DOI
    10.11522/pscjspe.2008a.0.445.0
  • Data Source
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • Abstract License Flag
    Disallowed

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