ネガ型電子ビームレジスト(HSQ)の電子ビーム露光特性
書誌事項
- タイトル別名
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- Electron beam exposure Characteristic of negative electron beam resist (HSQ)
説明
本研究は、ネガ型電子ビームレジストであるHydrogen Silsesquixane(HSQ)"T–12 1000V"(東京応化工業社製)の電子ビーム露光と有機溶剤を用いた現像行い、電子銃の加速電圧、電子の照射量、現像液の種類(TMAH、MND)、現像時間がHSQ露光特性に及ぼす影響について検討した。さらに、その結果を用いて微細線のパターンの作製を行い、加速電圧30KV、ドーズ量50μC/cm^2の時に線幅40nmラインが描けることが分かったので、これらについて報告する。
収録刊行物
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- 精密工学会学術講演会講演論文集
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精密工学会学術講演会講演論文集 2006S (0), 323-324, 2006
公益社団法人 精密工学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390282680630427136
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- NII論文ID
- 130005027347
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- データソース種別
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- JaLC
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可
