SiCのレーザアブレーション加工

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現在，シリコン（Si）に替わる次世代パワー半導体基板として，耐熱性，耐電圧性に優れるシリコンカーバイド（SiC）に期待が寄せられている．しかし，SiCはダイヤモンドに次ぐ硬度と化学的安定性から難加工性材料として知られている．本研究では材料の硬さに関わらず加工が可能であるレーザに着目し，難加工性材料であるSiCに対して，レーザアブレーションによる高品位高速加工を試みたので報告する．

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Details 詳細情報について

  • CRID
    1390282680631668864
  • NII Article ID
    130004661134
  • DOI
    10.11522/pscjspe.2013a.0.265.0
  • Text Lang
    ja
  • Data Source
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • Abstract License Flag
    Disallowed

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