プラズマ援用研磨法の開発(第8報)

  • 門奈 剛毅
    大阪大 工学研究科付属 超精密科学研究センター
  • トウ 輝
    大阪大 工学研究科付属 超精密科学研究センター
  • 田畑 雄壮
    大阪大 工学研究科付属 超精密科学研究センター
  • 遠藤 勝義
    大阪大 工学研究科付属 超精密科学研究センター
  • 山村 和也
    大阪大 工学研究科付属 超精密科学研究センター

書誌事項

タイトル別名
  • サファイア基板へのプラズマ援用研磨適用に関する基礎検討

説明

単結晶サファイア基板はInGaN系青色LEDにおけるGaN成長用の下地基板として用いられる。サファイア基板の研磨にプラズマ援用研磨を適用することで10倍の加工速度が得られた。また、XPSを用いた測定により水蒸気プラズマ照射によってサファイア基板表面の水和が進行されることが示唆された。本報では、高圧直流パルス電源を用いた誘電体バリア放電を新たに適用し、大気開放雰囲気下におけるプラズマ照射が加工特性に与える影響を検証した。

収録刊行物

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390282680631707392
  • NII論文ID
    130004661110
  • DOI
    10.11522/pscjspe.2013a.0.221.0
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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