MEMS引張試験技術による3C-SiC薄膜由来ナノワイヤの機械特性評価

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タイトル別名
  • Mechanical Property Measurement of 3C-SiC Film-derived Nanowires Using MEMS-based Tensile Test Technique

抄録

Siの代替素材として注目されているワイドギャップ半導体のMEMS・NEMS適応サイズでの機械物性は未知なところが多い．本研究では，独自開発したMEMS引張試験技術を用い，3C-SiC薄膜からFIBサンプリングしたSiCナノワイヤに対して引張試験を行った．結果，ヤング率および破壊強度はそれぞれ288.5GPa，10GPaであった．ヤング率はSiC公称値より36％程度低かった．ナノインデンテーション試験結果と併せてFIBのダメージ層の影響を議論する．

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  • CRID
    1390282680632595328
  • NII論文ID
    130005264053
  • DOI
    10.11522/pscjspe.2016s.0_723
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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